Spettrometro transiente di livello profondo (DLTS)
La spettroscopia transitoria a livello profondo è uno strumento tecnico importante nel campo dei semiconduttori per lo studio e la rilevazione di impurità, difetti, livelli di energia profondi, stati di interfaccia e così via. Lo spettro transitorio di livello profondo misurato dalla tecnica della capacità transitoria (∆ C-t) della giunzione P-N a semiconduttore e della giunzione Schottky a metà contatto oro, così come la tecnica della finestra di emissività dello spettro transitorio di livello profondo (DLTS), è un metodo sperimentale con sensibilità di rilevazione estremamente elevata (solitamente un decimo della concentrazione di doping nei materiali semiconduttori), che può rilevare impurità tracce, difetti, livelli profondi e stati di interfaccia nei semiconduttori. Scansionando la temperatura del campione, gli spettri DLTS possono essere ottenuti per caratterizzare la distribuzione delle impurità, i livelli di energia profonda difettosa e gli stati di interfaccia all'interno dell'intervallo di banda semiconduttore con la temperatura (cioè energia). Integrando più modalità di misura completamente automatiche e un'analisi completa dei dati può determinare il tipo, il contenuto e la distribuzione delle impurità con profondità.
Semetrol DLTS integra molteplici modalità di misura automatiche e analisi completa dei dati, che possono determinare il tipo, il contenuto e la distribuzione delle impurità con profondità. Può anche essere utilizzato nel campo delle celle solari fotovoltaiche per analizzare gli elementi chiave di impurità e l'occupazione reticolare di elementi di impurità che influenzano la vita del vettore minoritario e il decadimento dell'efficienza di conversione, e determinare quali elementi doping e occupazione degli elementi influenzano la vita del vettore minoritario. Questo strumento misura gli stati dell'interfaccia con velocità veloce e alta precisione, rendendolo una tecnologia di prova ampiamente applicabile nella produzione e nella ricerca scientifica

Caratteristiche principali:
• Rilevamento automatico della connessione;
• Funzione di compensazione automatica del condensatore;
• Alta sensibilità di rilevamento
• Misurazione della corrente transitoria;
analisi dello spettro transitorio a livello profondo;

Aree di applicazione:
• Rilevare i livelli di energia profondi e gli stati di interfaccia di impurità e difetti in tracce in materiali semiconduttori come Si, ZnO, GaN, ecc.



Configurazione del sistema Semetrol DLTS:
Generatore di impulsi
Campo di tensione: ±10 V (±102 V opt.)
Larghezza di impulso: 1 µ s -1000 s
-Misurazione della capacità
Segnale ad alta frequenza: 50KHz
Campo condensatore: 1pF-100nF

Sensibilità: 1 fF
Misurazione della tensione:
Range ± 10 V
Sensibilità < 1 µ V

Gamma di temperatura: 30K~700K
Gamma di resistenza: 0,1 mOhm -10 GOhm

Diverse modalità di misurazione tra cui scegliere:
C-DLTS (modalità capacitiva)

O-DLTS (modalità di eccitazione leggera)

I-DLTS (modalità corrente)

DD-DLTS (modalità doppia associazione)

Zerbst DLTS (modalità Zerbst)

Analisi FET

Analisi MOS

ITS (spettroscopia transitoria isotermica)

Trap profiling

CCSM (misurazione trasversale della cattura)

I/V, I/V (T) (Charlison Plot Analysis)

C/V, C/V(T)

TSC/TSCAP

PITS (spettroscopia transitoria indotta da fotoni)

DLOS (sistema speciale)